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   洗脱法是在定向自组装工艺中实现中性衬底中部分区域非中性化的一种手段。   图1的“洗脱法”方案是由Tokyo...

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  模板印刷技术是一个久已有之的印制图案的技术。最熟悉的如在T恤衫上印制各种图案。模板印刷可以有两种形式,一种是丝...

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   刻蚀修饰法是在定向自组装工艺中实现中性衬底中部分区域非中性化的一种手段。   图1的“刻蚀修饰法”方案则是由...

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  在某些情况下,需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构(单晶)的硅表面,还要保持对杂质类型和浓度的控制。这要通过...

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  在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子...

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  显影过程中遇到的不同问题及解决办法:(1)线宽或孔不符合关键尺寸要求。可能的原因:   A.显影不足或正胶曝光...

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  早已发现STM或AFM探针在使用过程中会在样品表面形成坑或包。排除探针压痕或电流加热熔融的因素,针尖的强电场是...

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  掩模保护膜是蒙贴在铝合金框架上的一层透明薄膜,防止灰尘掉落在掩模有图形的一侧。有了这个薄膜的保护,灰尘颗粒只能...

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  空间像显微镜(aerial image measurement system, AIMS)的结构图如图1所示[...

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  在实际生产中,光刻机的曝光能量(energy)和聚焦值(focus)会有一些不稳定性。另外,由于掩模制各工艺的...

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  使用FEM数据确定最佳曝光能量与聚焦值后,还可以使用缺陷检测的办法来进一步确定光刻工艺窗口的中心。特别是在32...

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  为了更好地回避晶圆之间工艺参数的涨落对确定工艺窗口的影响,可以在同一片晶圆上改变曝光能量和聚焦度,再用缺陷检测...

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  光刻技术作为微电子技术微细加工的关键技术, 是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术。40多年来,光刻技术一直是...

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  集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件,简单地说,首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区...

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  集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件,简单地说,首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区...

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  桥连是指不应接触的相邻线跳接触。   图形拆分可以被认为是有条件的间距问题,基于设计规则(DRC)定义一系列拆...

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  颈缩是指局部图形尺寸较目标图形尺寸缩减的缺陷。   图形拆分可以被认为是有条件的间距问题,基于设计规则(DRC...

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  光源输出到光刻机中的EUV光具有一定的频谱范围,绝大多数是13.5nm波长,但也有其他波长的光。这种非13.5...

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  双工件台,即在一台光刻机内有两个承载晶圆的工件台。两个工件台相互独立,但同时运行,一个工件台上的晶圆做曝光时,...

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  曝光剂量修正(dosemapper,DOMA)是ASML光刻机的一种功能,它能对曝光剂量做修正,提高曝光区域之...