芯制造

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　　快速热处理工艺就是指这样一类单片热处理工艺,它的目的就是通过降低温度和缩短时间或只缩短时间来使工艺的热预算减到...

　　快速热退火( RTA) 是半导体加工工艺中的一种常规技术手段，一般用来激活半导体材料中的掺杂元素和将由离子注入...

　　所谓退火就是加热并保温一段时间，以此来让体系发生一些变化（比如消除热历史，或者是加速某些过程，比如冷结晶）。其...

　　热退火工艺。 提供了一种用于加工基材的方法,所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合...

　　无掩膜光刻方案主要为电子束光刻技术，即采用聚焦电子束直接对光敏材料的部分区域进行曝光改变其化学特性，再经过专用...

　　反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利...

　　集成电路制造需要某种隔离工艺将单个器件隔离开来。因为半导体集成电路是在同一块半导体硅片上，通过平面工艺技术制造...

　　LFD软件可以根据用户提供的光刻工艺模型精确输出光刻窗口条件下畸变后版图图形。如图1所示，畸变图形轮廊与原始版...

　　布图规划在芯片设计中占据着電要的地位，它的合理与否直接关系到芯片的时序收敛、布线通畅、电源稳定以及良品率。 所...

　　布局是决定内核单元、宏模块等电路部件位于版图平面的位置的设计步骤。给定一组标准单元和宏模块,以及这些组件的特性...

　　曝光-能量矩阵（Focus-Energy Matrix，FEM）是用来检查光刻工艺窗口和确定最佳曝光条件的测试...

　　光刻胶三维效应是由于入射到光刻胶表面的不同入射角的光线对应的折射角不同而导致的最佳聚焦位置偏差引起的。　　在集...

　　二元掩模（Binary Intensity Mask，BIM），也称为双极型掩模，是指由透光与不透光两种部分组...

　　在极紫外光刻技术（EUVL）中，由于采用反射式离轴入射光学系统，在斜入射情况下，图形的投影位置和特征尺寸都会发...

　　在半导体制造领域，掩模起着十分重要的作用，掩模的好坏直接影响着半导体产品的良率，因而检测掩模的质量也成了必要的...

　　空间像是光线从光源发出通过投影系统在光刻胶上所形成光强分布的图像。使用仿真软件可以计算出不同极化照明下的空间像...

　　扇形照明（Quasar）是离轴照明的一种，如图所示。 图1 Quasar-45º　　对于一台确定波长和型号的光...

　　先进步进-扫描式光刻机所能支持的最大曝光区域(exposure field)面积是 26mm×33mm；步进式...

　　曝光后晶圆需要立即被传送到匀胶显影机内的热盘上，进行烘烤。这一步又叫曝光后烘烤，或后烘烤(PEB)。曝光时，光...

　　这种导向图形一般是用光刻胶图形作为掩模对固体基材（硅晶圆）进行等离子刻蚀制得。前图形模板凹槽底部和侧壁对嵌段共...