芯制造

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　　化学外延主要是对固体基底表面进行化学修饰，使基底表面的化学性质呈有序图形化，从而对嵌段共聚物各个嵌段的自组装起...

　　又称镶嵌共聚物，是将两种或两种以上化学性质不同的单体链段（如PS和PMMA等等）聚合在一起制备而成的一种特殊聚...

　　自对准双重成像技术(Self-aligned Double Patterning , SADP)即，一次光刻完...

　　双重曝光(Double Exposure, DE)是指在光刻胶覆盖的晶片上分别进行两次曝光。两次曝光是在同样的...

　　衍射光学元件(Diffractive Optical Elements, DOE)是光刻机中一系列可动的镜片(...

　　焦距能量矩阵(Focus Energy Matrix, FEM)是在曝光时，在一个方向以固定的步长改变聚焦值，...

　　工艺窗口指的是保证掩模图形能正确复制到硅片上的曝光剂量和离焦量范围，它包含三个方面的信息：成像精确度、曝光度和...

　　刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化（见图1）。它通常是由于横向钻刻引起的（见图2），但也能由刻蚀剖面...

　　刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度（见图16.3），通常用Å /min表示。刻蚀窗口的深度称为台阶...

　　无规共聚物可以作为中性层，应用在定向自组装光刻中。以PS-b-PMMA为例，与嵌段共聚物不同，无规共聚物的PS...

　　本方法针对嵌段共聚物专用的刻蚀增强技术称为 ALD 辅助图形转移技术，又 称连续渗入合成法（SIS，Seque...

　　图1是一种SOC用聚合物的方程式。三种单体，2-苯基苯酚（2-phenyl-phenol）、1，4-二乙烯苯（...

　　在完成对称型嵌段共聚物薄膜的自组装工艺开发后，需要对自组装图形进行诱导使其形成长程有序的图案。具体实现方法是先...

　　在完成对称型嵌段共聚物薄膜的自组装工艺开发后，需要对自组装图形进行诱导使其形成长程有序的图案。具体实现方法是先...

　　标准单元库，包括版图库、符号库、电路逻辑库等。包含了组合逻辑、时序逻辑、功能单元和特殊类型单元。是集成电路芯片...

　　版图设计规则优化(design rule optimization, DRO)是基于光刻优化仿真反馈的信息，重...

　　双重显影技术是为简化多重光刻工艺步骤而提出的。它可以通过将光刻胶薄膜首先在水溶显影液显影，然后在负性显影液显影...

　　双重或者多重光刻技术需要与之匹配的掩模版，也就是说需要根据工艺流程的需要设计两个或多个掩模，通常设计公司会先提...

　　在集成电路制造中，经过OPC处理过的版图，在发送到掩模厂制造掩模之前，还需要进行验证，就是对OPC处理过的版图...

　　反演光刻技术（Inverse Lithography Technology，ILT），也叫逆向光刻技术、反向光...