【光刻】工艺变化带宽（Process variation band， PV band）

　　在给定一组{聚焦点，曝光剂量}条件下用光刻仿真轮廓，该工艺变化带宽（PV Band）定义为外轮廓和内轮廓之间的区域（如图1）[1]。

图1 光刻模拟轮廓

　 　随着PWOPC的使用，也引出了光刻工艺变化带宽（process variation band，PV band）的概念，即在计算中有目的地引入工艺偏差，观察曝光后晶圆上的图形的变化。图2的绿色和黄色区域就是PWOPC软件计算出的工艺变化带宽，它们代表了曝光能量、聚焦度和掩模上图形尺寸的变化。可以看出，这种工艺不稳定导致的曝光偏差主要发生在二维图形处。图3是一个典型光刻图形的工艺变化带宽计算结果。工艺的不稳定性在线条的端点处导致了约15nm的差别。光刻工艺变化带宽太大就意味着曝光时设备和工艺的不稳定性会导致较大的曝光偏差[2]。

图2 （a）正常OPC后的结果（图中绿色区域表示工艺参数变化导致的CD变化）和（b）PWOPC处理后的结果（图中黄色区域表示工艺参数变化导致的CD变化）

图2  OPC计算出的光刻工艺变化带宽（图中粉色部分）

参考文献：

[1] Xiaoqing Xu．A Machine Learning Based Framework for Sub-Resolution Assist Feature Generation．ISPD ’16, April 3–6, 2016, Santa Rosa, California, USA.

[2] 韦亚一．超大规模集成电路先进光刻理论与应用．北京：科学出版社，2016.5：358-358