【NEWS】Intel以色列厂明年初导入10nm

英特尔(Intel Corp.)的晶圆代工制程进度虽然落后台积电(2330)，但专家分析，英特尔稳扎稳打，14奈米、10奈米制程今(2016)年底前的扩充进度都相当不错。图为英特尔执行长科再奇(Brian Krzanich)。

barron`s.com 3日报导，BlueFin Research Partners分析师Steve Mullane在观察过英特尔各大半导体材料供应商的生产数据后指出，英特尔正在持续减少新墨西哥州Fab11X厂、亚利桑那州Fab 32厂的产能，而以色列的Fab 28则预备要在明年初导入10奈米制程。

报告并称，位于奥勒冈、亚利桑那和爱尔兰的三座高产能厂房，14奈米制程的产能还在持续增加中，至于Fab 11X厂的老旧制程则明显降低。

英特尔才刚在9月发布采用14奈米制程、“Kaby Lake”架构的第七代Core系列处理器，最近还预测79月当季营收有望成长15%，以此来看，英特尔在资料中心/物联网(IoT)/记忆体的长期发展依旧相当不错。

先前有外资指出，台积电的晶圆代工能力，大约比英特尔领先一年。

barron`s.com 9月27日报导，美系外资发表研究报告指出，台积电在技术、处理ARM制程的能力、晶圆产能、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面，都比英特尔来得强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都较佳，但晶圆代工能力却落后微处理器制造技术至少两年，因此大概比台积电晚了一年左右。也就是说，英特尔短期内难以对台积电产生实质威胁。

相较之下，台积电的10奈米、7奈米制程技术虽落后英特尔，但台积电比英特尔提前12年跨入7奈米制程，可藉此缩短两家公司的差距。台积电在独家封装技术“整合型扇出型封装”(integrated fanout，InFO)的协助下，有望在2017年、2018年霸占10奈米和7奈米晶圆代工市场。

WCCFtech 9月25日报导，台积电研发单位已在内部会议中，揭露未来几年的最新研发蓝图，根据几名资深高层的说法，该公司今年底就会转换至10奈米，7奈米则会在明年试产、估计明年4月就可接单，而16奈米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也将在今年导入。7奈米制程可大幅提升省电效能(时脉约3.8Ghz、核心电压(vcore)达1V)，临界电压(threshold voltage)最低可达0.4V，适用温度约为150度。