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  较大的激光功率有利于实现较高的产能,然而,其带来的问题是在透镜中产生的热效应。特别是在20nm技术节点以下,负...

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  散射仪(scattermetry)的工作原理是:一束光入射在晶圆表面,晶圆表面的光刻胶图形对入射光产生散射和衍...

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  钻刻(undercut)指的是光刻胶掩模之下的侧向刻蚀。它的描述有两种形式:第一种是每边的底切距离。例如,某具...

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  缺口效应(notching effect)是发生在刻蚀SOI(silicon on insulator)硅片时...

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  微沟槽效应(microtrenching effect)是深刻蚀过程中边角的刻蚀深度大于中心部分刻蚀深度的一种...

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  为了阻止或减弱侧向刻蚀,只有设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层刻蚀薄膜。这就是Bocsh工艺。所谓Bocsh工艺,就...

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   刻蚀以后的步骤之一是去除光刻胶,光刻胶用来作为从光刻掩膜版到硅片表面的图形转移媒介以及被刻蚀区域或被离子注入...

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  从光源到光学系统,到掩模,到光刻胶,到设计技术,所以能够增强分辨率的措施都采用了。图一反应了k1因子自2000...

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  在大规模集成电路中为了将数亿只晶体管互相连接起来形成各种功能的电路系统,单层互联已经远远不够,必须进行多层互联...

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  在了解溶脱剥离法(lift-off)图形转移之前,首先需要了解适合于溶脱剥离法的薄膜沉积技术。沉积薄膜的方法很...

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  嵌段共聚物之所以与微纳米加工技术有联系,是因为其“微观相分离”( Microphase Separation)...

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  在给定一组{聚焦点,曝光剂量}条件下用光刻仿真轮廓,该工艺变化带宽(PV Band)定义为外轮廓和内轮廓之间的...

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  离子铣,也称为离子束刻蚀(IBE),是具有强方向性等离子体的一种物理刻蚀机理。它能对小尺寸图形产生各向异性刻蚀...

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  在反应离子刻蚀中总是有一部分离子在阴极电场加速下轰击刻蚀表面。离子轰击以方面形成溅射刻蚀作用,另一方面也会对刻...

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  干法刻蚀不同于湿法腐蚀之处在于它对下面的材料没有好的选择比。基于此原因,需要终点检测来监测刻蚀工艺并停止刻蚀以...

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  接触角(contact angle)是指在气、液、固三相交点处所作的气-液界面的切线,此切线在液体一方的与固-...

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  传输图像传感器是一种测量空间像(Aerial Image, AI)的设备[1]。掩模工作台与晶圆工作台之间的对...

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  在光刻中理论上来说,能在对准激光照射下产生衍射的周期性结构都可以用作对准标识。然而,在实际工艺条件下,对准标识...

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  曝光剂量修正(dose mapper, DOMA)是ASML光刻机的一项功能,它能对曝光剂量做修正,提高曝光区...

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  在光刻中光照条件应该根据掩模版上的图形来设置,这样才能对掩模上所有的图形实现最佳分辨率,共同的光刻工艺窗口才能...